随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏储能、高端电源等领域的加速渗透,驱动电路的性能和可靠性成为系统成败的关键。我们全新推出的全国产化SiC驱动板,专为1200V EconoDUAL3™封装SiC模块设计,器件100%国产化,性能对标国际一流,助您构建自主可控、高效可靠的功率系统。




产品概述

本驱动板在机械尺寸与电气接口上与EconoDUAL3™ SiC模块完美匹配,集成半桥驱动、隔离电源、温度检测、短路保护等完整功能,可直接应用于电机控制器、DC/DC变换器、车载充电机(OBC)、光伏逆变器等产品级设备,显著缩短开发周期,降低系统集成难度。



核心功能

  • 全国产化器件方案驱动芯片选用纳芯微NSI6651ASC(车规级AEC-Q100认证),搭配国产薄膜电容、接插件、阻容元件,从源头保障供应链安全。
  • 适配EconoDUAL3™半桥模块机械尺寸与引脚定义严格对标,即插即用,兼容主流1200V SiC模块。
  • 集成隔离驱动电源输入15V,输出+15V/-4V(可灵活调整为正负组合),为上下桥臂提供两路独立隔离供电。
  • 门极有源米勒钳位 + 软关断有效抑制高频开关时的误导通风险,提升抗干扰能力,同时软关断降低关断尖峰,保护功率模块。
  • 快速短路保护(DESAT)基于饱和压降检测,响应时间仅200ns,配合故障信号OC输出与状态指示灯,实现精准、快速的故障封锁。
  • 集成NTC温度检测电路实时监测模块结温,信号经运放调理后输出模拟电压,便于控制板实现过温保护策略。
  • 防直通互锁设计同一桥臂PWM信号互锁,防止上下管同时导通,系统更安全。



产品亮点


特性优势
100%国产器件不受进口限制,交期可控,成本优化,符合国产化替代趋势
±20A峰值驱动电流强劲驱动能力,适配大功率SiC模块快速开关需求
150kV/μs CMTI超高共模瞬态抗扰度,抗噪性能优异,适用于高dv/dt工况
传输延时≤110ns低延时保证高频PWM控制精度,适合10kHz~15kHz SVPWM调制
宽工作温度范围最高70℃环境工作温度,适应工业及车载严苛环境
紧凑可靠连接矩形抗振连接器,适合振动强度高的应用场景(如车载电机驱动)
灵活的门极电阻配置出厂默认配置,用户也可根据模块特性自行调整开通/关断电阻

典型应用场景

  • 新能源汽车主驱电机控制器
  • 储能变流器(PCS)
  • 光伏逆变器
  • 大功率DC/DC变换器
  • 感应加热与焊接电源
  • 工业变频器

技术参数速览


参数规格
供电电压15V(14~16V)
驱动输出电压+15V / -4V(可调)
峰值驱动电流±20A
PWM频率范围2~15kHz(推荐10kHz)
DESAT保护阈值9.3V
故障信号OC输出,低电平有效,5V CMOS电平
温度检测NTC运放调理输出
隔离耐压5.7kVrms(1分钟)
工作温度-40℃ ~ +70℃

结语

全国产化SiC驱动板不仅是一款硬件产品,更是一份“自主、可靠、高性能”的承诺。无论是从供应链安全、系统集成效率,还是从长期运维成本来看,它都是您下一代SiC功率系统理想的驱动搭档。


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国科赛思(北京)科技有限公司是一家贯通功率器件芯片设计、封装、可靠性验证及应用的全链条国家级高新技术企业。专注于国产新型功率半导体元器件研发及元器件检测与可靠性技术服务。公司核心团队来自中国科学院,曾负责核高基重大专项、极大规模集成电路制造重大专项和载人航天工程国家科技重大专项,为天宫一号、神舟系列飞船及载人空间站等工程型号任务提供元器件可靠性保障工作,为高端制造业客户提供元器件及可靠性解决方案。

公司以元器件可靠性为基础,在该领域纵向发展,自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET 及模块、 驱动 IC 系列产品,建成了通过 IATF 16949 车规认证的 J 民两用塑封产线。产品广泛应用于 D 载、J 载、船载、车载的随动系统和转动系统、舵机伺服控制系统、一次配电二次配电系统。应用市场有传统航空航天、新型商业航天、特种车辆、舰船等电子电力装置领域,满足多领域逆变器、UPS、变频器、电机驱动及大功率电源的应用需求。


主要产品与解决方案:

✅IGBT系列:单管、内绝缘单管、模块、IPM(智能功率模块)

✅SiC系列产品:SiC单管、SiC模块

✅MOSFET系列产品:SGT MOSFET、VD MOSFET、Trench MOSFET

✅驱动板卡解决方案

✅质量等级:车规级、企军标、七专级、工业级


执行规范:

✅国军标:《半导体分立器件通用规范(GJB33B-2021)》

✅企业标准: QZJ840611

✅车规级:AEC-Q101

✅工业级:GB/T4589.1-2006


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请致电:吕乃昌,13851870840

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