在整流、逆变等大功率应用场景中，不对称半桥拓扑凭借其灵活性和高效率优势日益受到青睐。我们全新推出的三相不对称半桥驱动器（上/下半桥分离式设计），专为750V/800A及以下IGBT模块量身打造，即插即用，无需繁琐调试，助您快速构建高可靠功率系统。

产品概述

本驱动器采用上半桥驱动器+下半桥驱动器分离式设计，分别驱动三相不对称半桥IGBT模块的上下桥臂。内部集成门极电阻、门极钳位、过压保护、Vce饱和压降短路保护、软关断、温度检测等完整功能，用户无需为特定应用额外调试驱动器，真正实现“即插即用”。

核心功能

• 三相半桥完整驱动方案：上、下半桥驱动器各含3路独立驱动通道（U/V/W三相），共同组成完整的三相逆变/整流驱动系统。
• 单电源15V供电：仅需一组15V/2A直流电源即可工作，简化系统电源设计。
• +15V/-8V门极驱动电压：提供典型值+15V开通电压和-8V关断电压，确保IGBT可靠开关，有效抑制误开通。
• 内置短路保护（Vce检测）：实时监测IGBT导通压降，检测到短路后6μs内启动软关断并上报故障，保护模块安全。
• 欠压保护与故障反馈：具备欠压锁定保护，故障信号以OC方式输出（低电平有效），高电平5V/低电平0.5V，便于MCU识别。
• 集成温度检测（NTC采样）：温度采样范围-55℃~140℃，输出0~3V模拟电压，-40℃~140℃范围内精度优于±5℃，助力精准过温保护。
• 隔离耐压2500VAC：控制信号与驱动侧电气隔离，保障低压侧安全。

产品亮点

典型应用场景

• 三相整流器/有源前端（AFE）
• 三相逆变器（电机驱动、变频电源）
• 大功率UPS
• 储能变流器（PCS）
• 感应加热电源
• 轨道交通辅助变流器

技术参数速览

选型与支持

• 型号：上半桥 CSFS15V10A_UP-V1.0 / 下半桥 CSFS15V10A_DOWN-V1.0
• 适配模块：750V/800A及以下三相不对称半桥IGBT模块
• 技术支持：专业团队48小时内响应，协助选型、调试与故障分析

结语

三相不对称半桥驱动器以分离式架构、即插即用、全面保护为核心设计理念，让您的功率系统开发更高效、运行更可靠。无论是整流还是逆变应用，它都能成为您值得信赖的驱动搭档。

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国科赛思（北京）科技有限公司是一家贯通功率器件芯片设计、封装、可靠性验证及应用的全链条国家级高新技术企业。专注于国产新型功率半导体元器件研发及元器件检测与可靠性技术服务。公司核心团队来自中国科学院，曾负责核高基重大专项、极大规模集成电路制造重大专项和载人航天工程国家科技重大专项，为天宫一号、神舟系列飞船及载人空间站等工程型号任务提供元器件可靠性保障工作，为高端制造业客户提供元器件及可靠性解决方案。公司以元器件可靠性为基础，在该领域纵向发展，自主研发了 IGBT 及模块、Si 基 /SiC 基 MOSFET 及模块、 驱动 IC 系列产品，建成了通过 IATF 16949 车规认证的 J 民两用塑封产线。产品广泛应用于 D 载、J 载、船载、车载的随动系统和转动系统、舵机伺服控制系统、一次配电二次配电系统。应用市场有传统航空航天、新型商业航天、特种车辆、舰船等电子电力装置领域，满足多领域逆变器、UPS、变频器、电机驱动及大功率电源的应用需求。

主要产品与解决方案：

✅IGBT系列：单管、内绝缘单管、模块、IPM(智能功率模块)

✅SiC系列产品：SiC单管、SiC模块

✅MOSFET系列产品：SGT MOSFET、VD MOSFET、Trench MOSFET

✅驱动板卡解决方案

✅质量等级：车规级、企军标、七专级、工业级

执行规范：

✅国军标：《半导体分立器件通用规范(GJB33B-2021)》

✅企业标准: QZJ840611

✅车规级：AEC-Q101

✅工业级：GB/T4589.1-2006

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